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【太平洋科技資訊】近日，三星電子存儲業務主管李政培透露，該公司已經成功生產出基于第九代V-NAND閃存產品的樣品，并計劃在明年初實現量產。同時，三星還在開發行業領先的11nm級DRAM芯片。為了實現這些目標，三星正在為DRAM開發3D堆疊結構和新材料，而對于NAND閃存，三星則通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。

李政培指出，在即將到來的10nm以下DRAM和超過1000層的V-NAND芯片時代，新結構和新材料將變得非常重要。此外，AI芯片對于三星電子來說也至關重要。該公司已經開始生產HBM3高性能內存芯片，并正在開發下一代HBM3E。三星希望為客戶生產“定制”的HBM芯片，以滿足超級規模AI等新應用的需求。

為了進一步展示其最新的存儲器芯片技術和產品，三星電子將于10月20日在硅谷舉辦三星存儲器技術日2023活動。通過這些最新的開發進展，三星電子將為未來科技發展注入新動力。其在存儲芯片領域的突破將推動數據存儲和處理能力的提升，為人工智能、物聯網等領域的發展提供更強大的支持。

【知多D】

DXOMARK官方公布了三星Galaxy S23 Ultra的影像測試結果，該機的影像測試總分為140分，排名第10。

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